ICP MS 300電感耦合等離子體質(zhì)譜儀技術(shù)配置

PlasmaMS 300電感耦合等離子體質(zhì)譜儀介紹

2.PlasmaMS 300質(zhì)譜儀技術(shù)配置

2.1樣品導(dǎo)入系統(tǒng)

l  敞開式進(jìn)樣系統(tǒng)，配備外部可裝卸的玻璃同心霧化器與玻璃旋流霧室。

l  可根據(jù)需要選配半導(dǎo)體制冷；

l  包含一個(gè)插入式自定位的標(biāo)準(zhǔn)整體型石英炬管，炬管被安裝在一個(gè)緊湊的法拉第網(wǎng)格屏蔽箱內(nèi)，阻止高頻輻射。

l  在炬箱門上帶有一個(gè)防止紫外輻射的觀察窗口。

l  氣體屏蔽裝置阻止腐蝕性氣體侵蝕質(zhì)譜儀中的一些關(guān)鍵部件。

l  4通道12滾輪的蠕動(dòng)泵，與進(jìn)樣系統(tǒng)緊湊的安裝，速度可變，由計(jì)算機(jī)控制（最大到100rpm）。

l  可選配自動(dòng)稀釋裝置，能夠極大的增加儀器的耐高鹽性能；

2.2 RF發(fā)生器

l  27.12MHz；計(jì)算機(jī)控制功率調(diào)整，從100W到2000W連續(xù)可調(diào)，最小調(diào)節(jié)間隔1W。

l  對(duì)于不同種類的樣品，最優(yōu)化功率設(shè)置被定義和存儲(chǔ)在每個(gè)相應(yīng)的方法中。

2.3真空系統(tǒng):

l  三級(jí)真空系統(tǒng)配置了高級(jí)的分流式分子渦輪泵，擁有極高的氣體排氣量，頂端開啟式真空室，更容易接近分析器組件。

l  真空室內(nèi)部所有元件的電路連接都采用了固定在真空室頂蓋上的金彈簧頂針接頭，減少了連線，使RF高頻泄漏降到最小，并確保電路通暢。

l  從大氣壓開始，30分鐘即可抽到可工作狀態(tài)。

l  真空度：關(guān)閉滑閥<1x 10^-4Pa；操作儀器時(shí)<4x 10^-4Pa

l  具備真空保護(hù)功能；

l  具有真空腔體快速放氣功能；

2.4離子光學(xué)系統(tǒng)

l  離子雙離軸光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；

l  透鏡組：重離軸偏轉(zhuǎn)的離子透鏡組，具有極低的背景噪聲，提供極高的信噪比。

l  光子和中性粒子的消除：第二重離軸偏轉(zhuǎn)透鏡，能夠使動(dòng)態(tài)反應(yīng)池與質(zhì)量分析器與之間離軸，進(jìn)一步降低背景；

2.5四極桿/質(zhì)量分析器:

l  四極桿配置：12mm超長(zhǎng)的四級(jí)桿配置，采用了方便的非對(duì)稱定位安裝支架系統(tǒng)，避免安裝錯(cuò)位。

l  四極桿材料：鉬和高純氧化鋁陶瓷支架。

l  四極桿設(shè)置時(shí)間：動(dòng)態(tài)設(shè)置最小設(shè)置時(shí)間1ms

l  質(zhì)量數(shù)范圍：2到260amu

l  四極桿電源采用DDS（直接數(shù)字頻率合成）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)頻率自動(dòng)匹配。

l  能夠快速的進(jìn)行自動(dòng)質(zhì)量軸校正，質(zhì)量軸分辨率可自行設(shè)置，看分別保存為高、中、低三檔分辨率；

2.6碰撞反應(yīng)池技術(shù)

l  動(dòng)能歧視技術(shù)；使用碰撞氣體（He）、混合氣；

l  反應(yīng)池技術(shù)：可根據(jù)需要選擇H₂，CH₄，NH₃等，便于方法的開發(fā)；

l  有效地消除由樣品基體或等離子源引起的各種多原子離子干擾，同時(shí)保持碰撞反應(yīng)池內(nèi)的副產(chǎn)物最小化。

l  不需要更多復(fù)雜的電路裝置。

2.7檢測(cè)器

l  雙排分列式打拿電極的電子倍增器，可以同時(shí)在脈沖和模擬模式下工作。

l  先進(jìn)的數(shù)模信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，同時(shí)配有而新穎的檢測(cè)器內(nèi)的變壓器系統(tǒng)，提供快速的模擬信號(hào)采集，增加信噪比，改善檢測(cè)器在長(zhǎng)期使用下的穩(wěn)定性。

l  檢測(cè)器采用插拔式設(shè)計(jì)，易于更換。

l  測(cè)量范圍：大于9個(gè)數(shù)量級(jí)

2.8數(shù)據(jù)采集

l  多通道分析器：50,000 通道。

l  循環(huán)累計(jì)：多通道緩沖器數(shù)據(jù)采集，允許快速不間斷的數(shù)據(jù)采集。

l  具備死時(shí)間校正功能和PA校正；

l  在模擬和脈沖兩種模式中，最小駐留時(shí)間為1ms。

l  跳峰模式，全掃模式，峰掃描模式，在一次樣品數(shù)據(jù)采集中，可選用混合掃描數(shù)據(jù)采集模式，使用集成的軟件進(jìn)行時(shí)序分析。

2.9通風(fēng)系統(tǒng)

l  通風(fēng)速度~250m³/h，在儀器抽風(fēng)口處的氣流速度~8.8m/s，抽風(fēng)口外徑為90cm

l  通風(fēng)系統(tǒng)未開情況下，儀器運(yùn)行具有溫度chao高報(bào)警功能；

2.10環(huán)境條件

l  室內(nèi)氣溫15~30℃，氣溫變化每小時(shí)不超過3℃，推薦室溫22℃。

l  相對(duì)濕度20~70%，無冷凝。推薦相對(duì)濕度40%。

l  儀器應(yīng)當(dāng)置于無煙，無腐蝕性的環(huán)境下，無振動(dòng)，不受陽光直射，遠(yuǎn)離易燃易爆危險(xiǎn)品。

2.11空間尺寸、重量及電源等參數(shù)